Silicon Carbide Staang

Kuerz Beschreiwung:

Produit Numm:Silicon Carbide RodModell:Riichtaus / U / W / H / SpiralDuerchmiesser:8-65 mmLängt:5-6600 mmDicht:2,6 g/cm3Moh's Hardness:9.5Spezifesch Hëtzt:0,17 kcal/kg·gradThermesch Konduktivitéit:20 kcal/m·Stonn·GradSic Inhalt:99% minAarbechtstemperaturbereich:800 ℃ - 1500 ℃Linear Expansiounskoeffizient:5 x10^-6(m/℃)HS Code:69039000

Schéckt E-Mail un eis

Produit Detailer

Produit Tags

ProduitNumm	Silicon Carbide Staang
Beschreiwung	1. Silicon Carbide Staange sinn stav-förmlech a tubulär net-metallesch héich-Temperatur elektresch Heizung Elementer aus héich Puritéit gréng hexagonal Silicon Carbide als Haaptrei Matière première, veraarbecht an eidel no engem bestëmmte Material Verhältnis, a gesintert um 2200 ° C fir Héichtemperatur Siliconiséierung, Rekristalliséierung a Sintering. 2. Déi normal Benotzungstemperatur an enger oxidéierender Atmosphär kann 1450 ° C erreechen, an de kontinuéierleche Gebrauch kann 2000 Stonnen erreechen.
Modell	GD (Gläichen Duerchmiesser Staang);GC (Butt Enn Staang);GDC (U-förmleche Staang);GDQ (Pistoul Typ Staang);GDH (H Typ Staang);Mini Staang;Benotzerdefinéiert Staang
Eegeschaften	1. Héich Temperatur Resistenz 2. Oxidatiounsresistenz 3. Korrosiounsbeständegkeet 4. Schnell Heizung 5. Laang Liewen 6. Kleng Verformung bei héijer Temperatur 7. Einfach Installatioun an Ënnerhalt

Detailer Biller

GD (Equal Diameter Silicon Carbide Rod)

GDC (U-förmlech Silicon Carbide Rod)

GC (Dumbbell Silicon Carbide Rod)

Recht Wénkel Silicon Carbide Rod

Silicon Carbide Rod Kombinatioun

GDQ (Gun Type Silicon Carbide Rod)

GDH (H-Typ Silicon Carbide Rod)

Spiral Silicon Carbide Rod

Gate Typ Silicon Carbide Rod

Silicon Carbide Rod Kombinatioun

Effekt Display

Produit Index

Artikel	Eenheet	Datum
Inhalt vun SiC	%	99
Inhalt vun SiO2	%	0,5
Inhalt vun Fe2O3	%	0.15
Inhalt vun C	%	0.2
Dicht	g/cm3	2.6
Anscheinend Porositéit	%	<18
Drock-resistent géint Kraaft	Mpa	≥120
Béie Kraaft	Mpa	≥80
Operatioun Temperatur	℃	≤1600
Koeffizient vun thermesch Expansioun	10-6/℃	<4.8
Thermesch Konduktivitéit	J/Kg℃	1,36*10

Applikatioun

Vill an Héichtemperaturfelder benotzt wéi Elektronik, Magnéitmaterial, Pulvermetallurgie, Keramik, Glas,
semiconductors, Analyse an Testen, a wëssenschaftlech Fuerschung, an ass en Tunnel Uewen ginn, Aachterbunnen Uewen, Glas Uewen, Vakuum
Schmelzhäre, Muffelofen, Schmelzofen an elektresch Heizelementer fir Heizungsausrüstung.

Glas Uewen

Roller Kiln

Tunnel Kiln

Schmelzen Uewen

Package & Warehouse

Oft gestallten Froen

Brauch Hëllef?Gitt sécher eis Supportforumen ze besichen fir Äntwerten op Är Froen!

Sidd Dir Hiersteller oder Händler?

Mir sinn e realen Hiersteller, eis Fabréck ass spezialiséiert fir refractaire Materialien fir méi wéi 30 Joer ze produzéieren.Mir verspriechen de beschte Präis, de beschte Pre-Sale an After-Sale Service ze bidden.

Wéi kontrolléiert Dir Är Qualitéit?

Fir all Produktiounsprozess huet RBT e komplette QC System fir chemesch Zesummesetzung a kierperlech Eegeschaften.A mir testen d'Wueren, an de Qualitéitszertifika gëtt mat de Wueren geschéckt.Wann Dir speziell Ufuerderunge hutt, probéieren mir eist Bescht fir hinnen z'empfänken.

Wat ass Är Liwwerung Zäit?

Ofhängeg vun der Quantitéit, ass eis Liwwerzäit anescht.Awer mir verspriechen sou séier wéi méiglech mat garantéierter Qualitéit ze verschécken.

Gitt Dir gratis Echantillon?

Natierlech liwwere mir gratis Proben.

Kënne mir Är Firma besichen?

Jo, natierlech, Dir sidd wëllkomm fir RBT Firma an eis Produkter ze besichen.

Wat ass de MOQ fir Testbestellung?

Et gëtt keng Limit, mir kënnen de beschte Virschlag a Léisung no Ärer Situatioun ubidden.

Firwat eis wielen?

Mir hunn refractaire Materialien fir méi wéi 30 Joer gemaach, mir hu staark technesch Ënnerstëtzung a räich Erfahrung, mir kënnen d'Clienten hëllefen, verschidde Ofen ze designen an One-Stop-Service ze bidden.

virdrun: Gréng Silicon Carbide

Nächste: Mosi2 Heizelement